CV（电容-电压）、IV（电流-电压）测试是半导体与电子元件测试中，最具“代表性”的测试项目之一。但您知道更简单、更精确的测量方式吗？

传统CV/IV测量系统面临的挑战

NI全新的PXI LCR表（阻抗分析）可帮助您精确地执行直流和阻抗测量。将LCR与SMU功能结合到单插槽PXI的尺寸中，助力高通道密度测量系统与高吞吐并行测试系统的实现，并且在进行I-V（电流-电压）与C-V（电容-电压）测量时，无须再使用开关切换于SMU和LCR表之间，摆脱开关所引入的测量不确定性能获得获得更好的测量品质和更快的测试时间。

PXIe-4190：集成了LCR测试仪和SMU

NI全新款的PXI LCR表（阻抗分析）适合用于半导体参数测试应用、整合式被动元件（ IPD ）、微机电系统（ MEMS ）、多层陶瓷电容器（ MLCC ）等。兼具了LCR测试仪和SMU的功能，同时具有一流的质量和性能。

通过以上传统方法与NI解决方案的结构对比图可以看出，NI解决方案中SMU与LCR的连接器直接共用，它在切换工作模式的时候，无需通过外部开关矩阵做信号路径的切换。

PXIe-4190

主要特性：

◇ LCR测试仪具有fF级电容测量功能

◇ SMU具有fA级电流测量功能

◇NI DC-POWER驱动程序支持LabVIEW、C、C# .NET和Python

从MEMS器件看CV/IV测试测量的应用

CV/IV测试对几乎所有的元器件都很重要，今天我们重点谈下当下的一种热门产品——MEMS器件。MEMS也称为微机电系统，是一种先进的加工工艺，应用MEMS技术可使器件体积缩小、功耗降低、灵敏度提高，常见的器件有MEMS传感器等。

MEMS从制造工艺到测试测量都要求非常高的精度。以电容式MEMS传感器为例，它通过电容的变化来完成物理量的感知。与电容值相关的测试需要达到fF级别的分辨率，这要求测试仪器具有很高的精度。

电容测试中能够施加的 DC 偏置电压范围是电容测试仪器的一个重要指标。PXIe-4190可以提供±40V的偏置电压，此外，PXIe-4190具有个位数fA电流分辨率和fF级电容测量能力，这让它可满足绝大部分的测试要求。

配备PXIe-4190 LCR测试 仪和SMU的CV/IV测量系统

时间：2022年07月12日

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配备PXIe-4190 LCR测试仪和SMU的CV/IV测量系统